合成ダイヤモンドLabo Grown Diamond

当社はオマーンのCVDダイヤモンドメーカー Sunshine Duqm社の日本の販売総代理店として同社のダイヤモンド製品の取扱いを行っています。
Sunshine Duqm社はインドとの合弁により高品質な工業用CVDダイヤモンド製品の製造販売を行っています。

製品情報

ダイヤモンドは、さまざまな用途で非常に優れた特性を持つ究極の材料です。天然物質の中で最も硬いだけでなく、高い屈折率と分散率を持ち、熱伝導性にも優れています。
これらの優れた特性によりダイヤモンドは切削工具、研磨材、光学窓、ヒートシンクなどとして使われており、さらには半導体などの電子関連分野への応用が期待されています。

合成ダイヤモンド製品

半導体用単結晶ダイヤモンド基板

ダイヤモンドは、広いバンドギャップ、絶縁耐性、熱伝導率の高さからパワー半導体デバイス材料として実用化に向けて注目されています。また、ダイヤモンドは放射線に強い特性を持っているため、宇宙応用や宇宙空間での利用にも適しています。

半導体用単結晶ダイヤモンド基板 半導体用単結晶ダイヤモンド基板(別角度)

半導体用単結晶ダイヤモンド基板

結晶方位(100)
サイズ4×4mm〜20×20mm(*1)
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
不純物管理ボロン(B)、窒素(N2)、シリコン(Si)をSIMS検出リミット以下に管理可能

(*1)2インチ大口径基板開発中

結晶方位(111)
サイズ〜5×5mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
不純物管理ボロン(B)、窒素(N2)、シリコン(Si)をSIMS検出リミット以下に管理可能

半導体用高純度エピタキシャル層付き単結晶ダイヤモンド基板

電子グレード単結晶CVDダイヤモンドの片面あるいは両面に、高純度ダイヤモンドエピタキシャル層を成長させた基板です。

結晶方位(100)
サイズ4×4〜20×20mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
高純度エピ層
不純物管理
ボロン(B)、窒素(N2)、シリコン(Si)をSIMS検出リミット以下に管理可能
結晶方位(111)
サイズ4×4〜5×5mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
高純度エピ層
不純物管理
ボロン(B)、窒素(N2)、シリコン(Si)をSIMS検出リミット以下に管理可能

半導体用高濃度ボロンドープダイヤモンド自立基板(BDD)

結晶方位(100)
ボロン濃度3×1016〜3×1020 atoms/cm3
サイズ4×4〜20×20mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm

半導体用高濃度ボロンドープエピタキシャル層付き単結晶ダイヤモンド基板

電子グレード単結晶CVDダイヤモンドの片面あるいは両面に、高濃度ボロンドープダイヤモンド層を成長させた基板です。

結晶方位(100)
ボロン濃度3×1016〜3×1020 atoms/cm3
サイズ4×4〜20×20mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm

量子グレード単結晶ダイヤモンド基板

量子センサーはダイヤモンドのNVセンターと呼ばれる欠陥を利用することで、電場・磁場・温度などの変化を驚異的な精度で感知する超高性能な次世代センサーとして大きな注目を集めています。量子センサー用の不純物を極限まで抑えた高純度量子グレード、NVセンターとなる窒素を一定量ドープした窒素ドープ量子グレードなどを取り揃えております。

量子センシングの応用イメージ 量子グレードダイヤモンドのイメージ

量子用高純度単結晶ダイヤモンド基板

結晶方位*(100)
サイズ4×4〜20×20mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
不純物管理ボロン(B)、窒素(N2)、シリコン(Si)をSIMS検出リミット以下に管理可能

*(111)結晶方位品:開発中

量子用窒素ドープ単結晶ダイヤモンド基板

NVセンターとなる窒素を一定量ドープしたグレードです。

結晶方位(111)、(100)
サイズ4×4〜20×20mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
窒素濃度4〜10ppm

GaN on Diamond

GaN-on-Diamondは、GaN層を厚さ数百ミクロンのCVDダイヤモンド基板の上に貼り合わせ、あるいは直接形成した構造です。高周波かつ大出力が求められる環境では、動作時の発熱や温度上昇による性能劣化が課題となっており、放熱対策が必須となってきております。GaN-on-Diamond技術は、窒化ガリウム(GaN)を優れた熱伝導体であるダイヤモンド基板上に形成・接合することで、高出力・高周波デバイスの性能を向上させるための新しいアプローチです。GaN基板とダイヤモンド基板の接合による製法のほか、ダイヤモンド基板上にGaNをエピタキシャル成長させる製法技術も確立いたしました。

GaN on Diamond基板 GaN on Diamond基板(3方向)

製品仕様

サイズ4×4〜10×10mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
熱伝導率〜2,200 W/mK

導電性ダイヤモンド(高濃度ボロンドープダイヤモンド)

ホウ素をドープした導電性のダイヤモンドは導電性ダイヤモンド(BDD)と呼ばれ、電極として利用すると優れた電気化学特性を示し、次世代のレアメタルフリーの電解用新電極材料として期待されています。自立基板のほかに、ご要望の基材への導電性ダイヤモンド成膜も対応可能です。

導電性ダイヤモンド製品 導電性ダイヤモンド基板

導電性ダイヤモンド(高濃度ボロンドープダイヤモンド)

ボロン濃度3×1016〜3×1020/cm3
サイズ4×4〜20×20mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm

高濃度ボロンドープエピタキシャル層付きダイヤモンド基板

単結晶CVDダイヤモンドの片面あるいは両面に、高濃度ボロンドープダイヤモンド層を成長させた基板です。

高ボロンドープ
エピ層ボロン濃度
3×1016〜3×1020/cm3
サイズ4×4〜10×10mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm

ダイヤモンド光学窓

ダイヤモンドは光透過特性、赤外線透過率に優れており光学部品としてCO2レーザーなどの高出力レーザーやX線用の透過ダイヤモンド光学窓として利用されています。

ダイヤモンド光学窓

放熱用ダイヤモンド(ダイヤモンドヒートシンク、ヒートスプレッダー)

ダイヤモンドは全ての材料の中で最も高い熱伝導率を持つ優れた放熱材料であり、また電気絶縁性にも優れているため、電気絶縁性が求められる用途においては理想的なヒートシンク材料です。高出力電子機器の信頼性と効率性を引き上げ、デバイスの冷却、高速動作、長寿命化を実現します。

Cu-ダイヤモンド複合材放熱基板、Al-ダイヤモンド複合材放熱基板、AuメタライゼーションPCDウエハ(≦4インチ)、AuメタライゼーションSCDウエハ(≦20mm)をご用意しております。

放熱用ダイヤモンド基板

CVD単結晶ダイヤモンド基板

サイズ2×2〜20×20mm
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 2nm
熱伝導率〜2,200 W/mK

CVD多結晶ダイヤモンド基板

サイズ1インチφ〜4インチφ
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 20nm
熱伝導率〜1,800 W/mK

熱フィラメントCVDダイヤモンド基板

熱フィラメントCVD法で製造したコスト重視の放熱材料となります。

サイズ1インチφ〜4インチφ
厚さ0.3〜0.5mm
表面処理Ra < 20nm
熱伝導率800〜1,000 W/mK

銅-ダイヤモンド複合材

サイズどのようなサイズでも対応可能
厚さ1mm以上
表面処理Ra < 5μm
熱伝導率〜650 W/mK

アルミニウム-ダイヤモンド複合材

サイズどのようなサイズでも対応可能
厚さ1mm以上
表面処理Ra < 5μm
熱伝導率450〜500 W/mK

切削工具素材

ダイヤモンドバイトやミルなどの切削工具素材用のCVDダイヤモンドを取り揃えています。ご要望に合わせたサイズで製作可能です。

工具用CVDダイヤモンド

ダイヤモンド工具用一般グレードに加え、下記のような特色を持ったグレードも取り揃えております。

HPHT処理CVDダイヤモンド

CVDダイヤモンドにHPHT処理を施した工具用CVDダイヤモンドとなります。

高窒素ドープCVDダイヤモンド

CVDダイヤモンドに窒素ドープ処理を施した工具用CVDダイヤモンドとなります。

高窒素ドープHPHT処理CVDダイヤモンド

CVDダイヤモンドに窒素ドープ処理とHPHT処理の両方を施した工具用CVDダイヤモンドとなります。

CVDダイヤモンドパウダー

CVDダイヤモンドから製造したダイヤモンドパウダーです。砥粒としてだけでなく、CVDダイヤモンドの高い熱伝導性を活かし、パワーデバイスやGPU向けの放熱シート・TIM材料に熱伝導フィラーとして配合する用途等で使用できます。

CVDダイヤモンドパウダー

各商品の仕様等につきましてはお問い合わせください。お客様のご希望に幅広く対応いたします。